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閂鎖效應是指在CMOS集成電路中寄生的PNP和NPN雙極型晶體管相互影響而產(chǎn)生的一種低阻抗通路，從而產(chǎn)生大電流。由于正反饋作用，該狀態(tài)會被持續(xù)維持（即“閂鎖”），從而導致集成電路失效，嚴重時可能造成器件燒毀。

示意圖

Latch up標準及測試方法

常見測試標準

JESD78與AEC-Q100-004

測試方法

閂鎖測試實際是通過電流脈沖激勵于非電源（輸入、輸出、輸入/輸出等）管腳或者施加過電壓脈沖于電源管腳來評估芯片抗閂鎖效應的能力，即過電壓測試V-test及過流測試I-test。

電源過電壓測試V-test

• 所有輸出管腳置于懸空狀態(tài)，輸入、輸入/輸出管腳置于邏輯高電平，預置管腳置于固定狀態(tài)。量測每個電源管腳電流。
• 待測電源管腳施加電壓觸發(fā)。
• 去除觸發(fā)源對比前后電流變化。
• 重復2-3測試每一個電源管腳并判斷測試結果。

電源測試V-TEST

I/O測試I-TEST或E-TEST

• 所有非待測輸出管腳置于懸空狀態(tài)，輸入、輸入/輸出管腳置于邏輯高電平。預置管腳置于規(guī)定的固定狀態(tài)。
• 對待測管腳置于邏輯高狀態(tài)。測量每個電源管腳電流，然后對待測管腳施加正向及負向觸發(fā)電流或電壓。
• 去除觸發(fā)源后，將被測管腳恢復到施加觸發(fā)源之前的狀態(tài)，測量每個電源管腳電流。
• 重復2-3測試每一個待測管腳，并判斷測試結果。

I/O正向電流測試 I-TEST

判斷標準

• 觸發(fā)前電流絕對值小于25mA，觸發(fā)后電流應小于觸發(fā)前電流加10mA。
• 觸發(fā)前電流絕對值大于25mA，觸發(fā)后電流應小于觸發(fā)前電流的1.4倍。
• 另外測試后漏電流過大、IV曲線嚴重偏移、功能失效等情況，均可判為失效。

測試結果判斷

服務能力

CTI華測檢測半導體檢測及分析中心（STC）可提供HANWA（HED-N5000）及 Thermo Fisher（MK2/MK4）測試及相應的硬件設計、制作服務。

HANWA HED-N5000                                                         Thermo Fisher  MK4